力晶:公告本公司取得日本專利局核發JP 6131357專利

第七條第8款

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體記憶裝置及其位址控制方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 184,975

4.其他應敘明事項:

半導體記憶裝置基於所輸入的並行位址來選擇性地切換至少兩個儲存單元並寫入

或讀取資料，其包括控制單元，所述控制單元以如下方式進行控制：於第一次資

料存取中，基於所述輸入的並行位址對所述半導體記憶裝置進行存取後，於第二

次以後的資料存取中，基於與所述並行位址不同的串行位址對所述半導體記憶裝

置進行存取。而且，所述半導體記憶裝置是將記憶胞分別連接於多條字元線與多

條位元線的交叉點而構成，所述串行位址包含：選擇所述多條字元線中的1條字

元線的第1串行位址，以及選擇所述多條位元線中的1條位元線的第2串行位址。