日經新聞：爾必達12月將啟動30奈米DRAM量產

《日本經濟新聞》周三報導，爾必達 (6665-JP) 計畫在今年 12 月開始量產 40 奈米以下的 DRAM 晶片，此舉預計可刪減生產成本約 30%。

爾必達即將量產的 DRAM 晶片線寬 (line width) 僅略大於 30 奈米，比三星電子的最新製程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入 40 奈米製程以下的公司。

報導指出，爾必達已開發出的「雙重曝光 (double-patterning)」新技術，能用現有的設備來達成更精細製程，而無需進行大規模的資本投資。

爾必達位於廣島的工廠，將於 12 月率先量產新 DRAM 晶片；瑞晶電子 (4932-TW) 則預定在 2011 年底之前啟動。

轉入 DRAM 新製程，初估可增加爾必達晶片收益約 45%，進而壓低生產成本 30%，來到與三星相同的水準。