進攻先進製程 台積電首採ASML超紫外光微影設備

全球晶圓代工霸主台積電(TSM-US；2330-TW)虎年持續躍進，今(22)日與荷蘭艾司摩爾(ASML；ASML-US)共同宣布，台積電將取得ASML公司的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，將安裝於台積電的超大晶圓廠12廠，用以發展新世代製程技術，有機會降低生產成本。台積電今日股價開盤大漲逾2%，一度回到60元之上。

ASML為歐洲半導體設備業龍頭，除了台積電，聯電(2303-TW)、GlobalFoundries和特許半導體(Chartered)也是ASML的客戶。此外，記憶體大廠三星(Samsung；005930-KR)、海力士(Hynix；000660-KR)、爾必達(Elpida；6665-JP)、美光(Micron；MU-US)和南科(2408-TW)等都採用其設備。目前全球共6家取得ASML超紫外光微影設備，台積電為其中之一。

台積電指出，ASML的超紫外光微影設備，將安裝於台積電的超大晶圓廠(GigaFab)－台積十二廠，用以發展新世代的製程技術，而台積電將成為全球第一個可在自身晶圓廠發展超紫外光微影技術的專業積體電路製造服務業者。

台積電進一步表示，相較於現行浸潤式微影技術以193奈米波長當作光源，超紫外光微影技術導入更短波長的光源，將有機會降低生產成本，而成為積體電路製造更先進技術世代一個有潛力的選擇。台積電目前正在對超紫外光及其他微影技術的最佳成本效益潛力進行評估。

台積電研發資深副總蔣尚義，台積電將利用ASML的TWINSCAN NXE:3100設備，進行更先進世代製程技術的研發。超紫外光微影技術是台積電正在研究的下世代微影技術之一，而導入此項設備，不但切合台積電保持先進技術領先的目標，更強化了台積電不斷投資於歐洲半導體業創新的一貫承諾。經由ASML和其他公司，歐洲半導體業將在台積電未來製程技術的發展上，繼續扮演重要的角色。

積極進攻22奈米及更先進世代製程，台積電上周五(2/19)也與荷蘭商MAPPER 共同宣布，MAPPER安裝在台積電晶圓12廠超大晶圓廠的原型機台，正不斷地重覆寫出超微小電路元件。這項無光罩微影技術，超越了先前使用浸潤式微影技術的限制 ，可望有效降低晶圓製造成本，也有助下一世代積體電路發展。