尬三星！東芝傳生產NIL技術NAND Flash、成本降1成

MoneyDJ新聞 2016-06-03 記者 蔡承啟 報導

日經新聞3日報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)將在2017年度採用被稱為「奈米壓印(Nano-imprint Lithography；NIL)」的新技術、生產使用於智慧手機等產品的NAND Flash，藉此可讓曝光工程(形成回路的工程)成本壓低至採用現行技術的1/3水準，就整體製造工程來看，預估成本有望刪減約1成。

報導指出，東芝正和大日本印刷(DNP)、Canon持續研發NIL技術，以期望藉由提高成本競爭力、對抗南韓三星電子。

據報導，東芝計畫今後3年內對半導體事業砸下8,600億日圓進行投資，其中部分資金將用來整備採用NIL技術的NAND Flash產線，且計畫於2017年度開始進行生產、之後並計畫利用預計於2018年度啟用的新廠房進行量產。

因現行技術已難以進一步提高半導體性能，故包含東芝在內的全球半導體大廠正積極進行次世代技術的研發，而除了上述的NIL之外，荷蘭設備廠ASML在獲得美國英特爾(Intel)、南韓三星的支援下，正進行「極紫外光(EUV)曝光」技術的研發。

東芝3月18日宣布，將在2016年度-2018年度的3年間總計砸下約8,600億日圓投資NAND型快閃記憶體(Flash Memory)，除將興建3D Flash新廠房之外，也將對現有廠房進行設備更新、提高3D Flash的生產比重。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，2016年Q1(1-3月)NAND Flash品牌商營收季減2.9%至80.64億美元，已連續兩季衰退。其中東芝NAND Flash營收季增12.8%、增幅遠高於三星的1.2%。

Q1東芝NAND Flash全球市佔率從2015年Q4(10-12月)的18.6%揚升至21.6%，與三星的市佔差距從15個百分點縮小至13.5個百分點。Q1三星市佔率為35.1%(2015年Q4為33.6%)穩居首位，第3-6名分別為SanDisk(市佔率15.1%)、美光(13.3%)、SK Hynix(7.9%)和英特爾(6.9%)。

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