微影

01-06科技

LLNL開發次世代紫外線微影平台 效率大增

媒體報導，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室 (LLNL) 正在領導一項研究合作夥伴關係，目標是開發下一代極紫外 (EUV) 光刻技術。這項名為「極紫外光刻與材料創新中心」(ELMIC) 的合作項目，獲得了美國能源部 1.79 億美元的資助，旨在推動新材料和製程整合到未來微電子系統的基礎科學進展。

03-19歐亞股

ASML已交付第三代EUV 可用於製造2nm晶片

半導體設備大廠 ASML(艾司摩爾) 近日交貨第三代標準型極紫外 (EUV) 光微影設備 (光刻機)，設備型號為 Twinscan NXE:3800E，配備了 0.33 數值孔徑透鏡。 相較於之前的 Twinscan NXE:3600D，效能有了進一步的提高，可以支援未來幾年 3 奈米及 2 奈米晶片的製造。