LED TAIWAN 13日登場環球晶圓展關鍵材料

記者許家禎／台北報導

LED TAIWAN 2016將於4月13日至16日登場，中美晶旗下半導體矽晶圓廠環球晶圓也將參與，於功率元件製造專區展出寬能隙半導體元件(Wide Bandgap Semiconductor Device)關鍵材料最新之研發成果，其中，環球晶圓將依功率元件的應用功率，分別展出矽(Si)、氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)的產品。

環球晶圓為全球前6大半導體矽晶圓材料供應商，此次將參加由國際半導體產業有限公司台灣分公司(SEMI Taiwan)和中華民國對外貿易發展協會(TAITRA) 聯合主辦的LED TAIWAN 2016。期專題展覽將完整呈現環球晶圓致力發展寬能隙功率半導體關鍵材料在功率半導體的產品研發與技術推進。

展會中，環球晶圓將依功率元件的應用功率，分別展出矽(Si)、氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)的產品。矽產品將展出3”~ 12”晶圓，包括磊晶片、退火片、拋光片及SOI；氮化鎵產品將展出6”及8” Crack Free GaN/Si；以及碳化矽產品將展出晶球及雙拋晶片。並將於展場上說明功率半導體市場需求的關鍵材料、技術及產品等相關資訊。

此外，環球晶圓營運暨研發副總經理徐文慶博士，將於4月13日下午1點半於LED TAIWAN舉行的功率元件創新技術發表會上，發表寬能隙功率半導體的關鍵材料的主題演講，將針對寬能隙功率半導體元件之關鍵材料，進行技術探討、產品應用領域介紹，並介紹環球晶圓於功率半導體全域應用的產品佈局及市場地位。

環球晶圓表示，在4G、5G高頻應用及車電、高鐵等超高功率應用上，碳化矽扮演舉足輕重的角色，碳化矽長晶技術門檻甚高，且關鍵技術掌握在美、俄，環球晶圓以多年單晶長晶技術為基礎，致力開發碳化矽，期望透過關鍵材料的開發及商品化，加速相關產品問世。

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