HBM現貨價狂飆 三星7成產能鎖到2031年 長約價僅現貨20%

據南韓經濟日報（SEDaily）周一(8/31)報導，隨著AI基礎建設對高頻寬記憶體（HBM）需求持續飆升，三星電子已將高達70%的記憶體產能透過長期供應協議（LTA）鎖定，合約期限延伸至2031年。

這項策略正在深刻改變傳統記憶體市場的週期性特徵，同時也導致現貨市場價格與長期合約價格之間出現高達4至5倍的巨大價差。

三星電子在7月30日的第二季財報電話會議上已明確披露這項規畫。

三星表示，計畫將總生產能力的60%至70%透過LTA進行分配，並已與全球前五大資料中心客戶完成合約簽署，目前正與另外5家主要客戶進行最後階段談判。

據SEDaily報導，這些LTA的主要客戶包括微軟、輝達和Google。

三星記憶體業務負責人金在俊（Jaejune Kim）在財報電話會議上表示：「幾乎所有客戶都在尋求LTA，我們在可用產能範圍內難以滿足所有供應要求。」

他進一步透露，為維持充足的供應彈性，公司計畫將總產能約60%至70%分配給LTA，合約期限以5年為基本單位，並採用「滾動」方式每年協商續約，同時加入預付款條款以強化合約約束力。

分析師指出，LTA正成為降低記憶體市場週期性波動的關鍵因素。長期協議能讓供應商掌握未來需求，同時也讓大型科技客戶確保未來數年的關鍵零組件供應。

不過，長期合約價格與現貨市場價格之間的差異極為顯著。

據SEDaily披露數據，36GB容量的HBM3E模組在現貨市場的單價約為287萬韓元（約合2,100美元），而相同產品的LTA協議價格僅在50萬至70萬韓元區間，兩者相差4至5倍。

DRAM價格仍在上漲

南韓貿易協會數據顯示，7月份DRAM出口數量為5.9174億個，年減13.2%；但出口額卻達135.5億美元，年增18.5%，出口單價從16.76美元飆升至22.9美元，漲幅達36.6%。

這「量降價升」現象源於多重因素。隨著HBM4量產推進，新一代HBM需要堆疊更多DRAM層數（16層），且初期良率低於已成熟的HBM3E，導致生產過程中消耗的DRAM晶圓大幅增加。

這不僅推高HBM4初期生產成本，也進一步擠壓通用型DRAM的供給。例如，正在逐步量產的HBM4 16層堆疊產品，在非長期合約渠道的價格已達480萬韓元（約合3,500美元）。

隨著HBM4進入大規模生產階段，HBM平均出口單價已從第一季的40.94美元躍升至第二季的60.22美元，漲幅約47%。

南韓半導體產業協會專務安基賢也解釋稱，「HBM每次升級換代，良率都會出現階段性下降。HBM4價格已是前代產品的兩倍左右，企業在增產過程中消耗的DRAM量也隨之增加，最終導致整體出口量減少。」

同時，三星等廠商將大量產能透過LTA鎖定，進一步加劇現貨DRAM市場的供應緊張。

三星高層在財報會議上預計，AI帶動的記憶體供應短缺可能持續至2028年。新建晶圓廠從開工到真正投產通常需要3年以上時間，這意味著2028年以前難以出現大量新增供給。

南韓貿易協會首席研究員都元彬指出，「半導體產品生產出來即被全部出口，短期內難以擴大產能，單價走高是不可避免的趨勢。」

面對持續緊繃的供應形勢，南韓兩大記憶體廠商正加速擴充產能。三星電子正考慮將平澤園區的S5代工生產線轉換為記憶體生產設施；SK海力士則正在探討與日本企業合作設立合資工廠的可能性。

SK集團會長崔泰源出席日本仙台舉行的日韓商工會議所會長團會議時透露，「（SK海力士）正在探討在日本設立半導體合資工廠的方案。」