鉅亨網記者魏志豪 台北
南茂 (8150-TW) 今 (11) 日召開法說會,董事長鄭世杰表示,儘管終端消費需求仍相對保守,但在記憶體需求穩健、DDR4 需求強勁、DDR5 逐步放量,以及車用與 OLED 產品支撐下,下半年營運動能較上半年維持穩健樂觀。
南茂為因應記憶體、高階邏輯與新產品需求,公司宣布上調資本支出,啟動新一輪擴產計畫,除了將 2026 年資本支出金額從原先佔營收比重 20% 以下,調升至 25% 以上,更預期 2027 年也將維持 25% 以上,進入為期兩年的高強度投資期。
鄭世杰指出,第三季記憶體仍是主要成長動能,受惠客戶需求穩健及備貨積極,整體記憶體營運表現可望優於驅動 IC。其中,DRAM 在 DDR4 需求強勁及 DDR5 產品開始放量帶動下,第三季成長動能最為明顯;Flash 雖受到部分客戶庫存調整等因素影響,但在季節性備貨支撐下,第三季表現仍穩健。
驅動 IC 方面,終端消費需求目前仍偏保守,不過在 OLED 季節性備貨及車用產品需求挹注下,南茂第三季 DDIC 營運動能將逐步趨於穩定。整體下半年營運將延續上半年成長動能,維持穩健樂觀看法。
鄭世杰說,南茂 2026、2027 年將連續兩年維持高強度資本支出,主要反映記憶體客戶擴充後段封測產能需求,以及手機、ASIC、AI ASIC、光通訊與矽光子等新產品陸續進入投資及量產階段。
在新產品布局方面,南茂將進一步擴大混合訊號與高階邏輯測試業務,目前已有數個手機相關產品專案進行中,預計今年底新一批高階測試機台將陸續到位,並開始進行少量生產,後續若客戶需求順利放大,將進一步擴充相關產能。
此外,南茂也規劃依客戶產品藍圖進一步切入 AI ASIC 產品,未來將從手機及一般 ASIC 逐步擴展至 AI ASIC 領域,強化混合訊號與高階邏輯產品線成長動能。南茂今年混合訊號及邏輯相關資本支出約占全年資本支出 7% 至 10%,明年相關投資比重預期將進一步提升。
除 ASIC 外,南茂也將利用既有晶圓凸塊、銅柱凸塊及後段封測技術,跨入光通訊及矽光子供應鏈,並依客戶後續需求擴充晶圓凸塊與封測產能,藉此擴大高階應用布局。
為支應未來成長,南茂計畫在南科新廠擴充記憶體測試產能,也積極進行既有廠房空間整併與最佳化,提前為未來 3 至 5 年的營運成長準備產能。
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