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聯電攻車用市場 28奈米製程獲Microchip子公司採用

鉅亨網記者魏志豪 台北

Microchip 旗下子公司冠捷半導體 (Silicon Storage Technology, SST®) 與聯電 (2303-TW)(UMC-US) 今 (16) 日共同宣布,SST 第四代嵌入式 SuperFlash (ESF4)解決方案,已在聯電 28HPC+ 製程平台上完成全數驗證並進入量產,具備完整的 Automotive Grade 1(AG1)車規等級能力。

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聯電攻車用市場 28奈米製程獲Microchip子公司採用。(圖:業者提供)

SST 與聯電攜手打造的 ESF4,不僅可於車用控制器應用中提供強化的嵌入式非揮發性記憶體 (eNVM) 效能與驗證過的高可靠性,更相較於其他廠商的 28 奈米 高介電係數金屬閘極 (HKMG) eFlash 解決方案,大幅減少額外製程光罩步驟,為客戶帶來更具成本效益與生產效率的方案。


目前已於晶圓代工廠 40 奈米 ESF3 AG1 平台生產車用控制器產品的客戶,若有升級至先進製程節點的需求,建議評估聯電 28 奈米 ESF4 AG1 平台。

Microchip 授權業務部門副總裁 Mark Reiten 表示,隨著車用需求持續加速,開發者迫切需要能提升效率、加快產品上市並滿足嚴格車規標準的解決方案。SST 與聯電攜手提供了具備量產能力的 28 奈米 AG1 解決方案,協助客戶加速設計導入。聯電一直是 SST 推動 SuperFlash 創新的重要夥伴,雙方持續共同回應快速演進的市場需求,提供具技術與經濟優勢的產品。

聯電技術研發副總經理徐世杰表示,隨著車輛日益邁向互聯、自駕與共享,對高可靠性資料儲存與大容量資料更新的需求也不斷成長,促使客戶期待能在 28 奈米製程導入 SuperFlash 技術。透過與 SST 的緊密合作,公司成功推出已整合至 28HPC+ 製程平台的 ESF4 解決方案,讓客戶能充分運用聯電豐富的模組與 IP,拓展關鍵市場,同時升級至更先進製程節點。

聯電 28HPC+ 製程平台上 SuperFlash ESF4 AG1 的關鍵效能與可靠性指標包括通過 Automotive Electronics Council(AEC) Q-100 Grade 1 認證,適用 - 40°C 至 +150°C(Tj) 溫度範圍,且讀取存取時間小於 12.5ns,寫入耐久達 10 萬次以上,在 125°C 下資料保存超過 10 年,僅需單位元錯誤更正碼 (1-bit ECC)

車用控制器的出貨量逐年快速成長,交通運輸產業對於多樣化車載應用的創新解決方案需求也與日俱增。為滿足此需求,在控制器中整合高效能且具備高可靠性的 eNVM 以儲存程式碼與資料,已成為關鍵。SST 搭載聯電 28HPC+ AG1 製程的 ESF4 解決方案,適用於需具備空中下載 (Over-the Air, OTA) 無線更新功能的高容量控制器韌體,有效提升產品升級與維護的彈性。


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