爆料者：三星3奈米良率大幅提升3倍 但比起台積電仍偏低

知名爆料者 Tech_Reve 在 X 平台發布文章，表示三星的 3 奈米良率最初徘徊在 10-20% 左右，但最近已最近已提高了三倍以上。不過，與仍採用 FinFET 技術的台積電 (2330-TW)(TSM-US) 相比，這個數字仍然較低。

文章稱，三星對第二代 3 奈米 技術抱有很高的期望，實際功耗、效能和面積 (PPA) 指標據報導非常有希望，有傳言稱其與台積電 N3P 製程相當。

知情人士透露，三星第二代 3 奈米 製程與 4 奈米 FinFET 技術相比，功率效率和邏輯面積增加了 20-30%。

此前報導稱，三星計劃今年下半年量產第二代 3 奈米 製程。

三星電子 DS 部門下屬 Foundry 業務部負責人崔時榮表示，三星的第二代 3 奈米 和首代 2 奈米 是兩個不同的工藝，此前收到日本 AI 企業 Preferred Networks 的 2 奈米 AI 晶片訂單，也是三星的首個 2 奈米 訂單 。

過去，三星號稱已於 2022 年 6 月，成為全球第一家量產 3 奈米製程晶片公司，領先於競爭對手台積電近六個月。不過，由於良率不佳，產品未能符合客戶要求。