美光步步進逼 三星擬轉攻1c DRAM拚6月開發完成

美光步步進逼 三星擬轉攻1c DRAM拚6月開發完成 (圖:AFP)
美光步步進逼 三星擬轉攻1c DRAM拚6月開發完成 (圖:AFP)

據韓媒 BusinessKorea 報導,三星電子計劃在今年 6 月前完成 11 奈米製程第六代 1c DRAM 的開發,在美光 (MU-US)、SK 海力士加速追趕之際,力拚保持產業龍頭地位。

三星近期通知公司內部半導體研究人員,公司決定跳過並放棄 12 奈米製程 1b DRAM 的開發。先前傳出三星 1b 遇到研發障礙,可能修改產品軌道與戰略。

三星決定放棄 1b DRAM 後,立即加速 1c DRAM 的開發,若 1c 今年能亮相,可望拉開與美光、SK 海力士等競爭對手的技術差距。

三星現階段正面臨必須搶先開發出 1c DRAM 的壓力,因為 1a  (1-alpha) DRAM 開放進度已落後美光,美光目前 1a  (1-alpha) DRAM 已進入量產階段。

三星過去也曾放棄 28 奈米 DRAM 開發與量產,瞄準 25 奈米 DRAM,不過,隨著製程工藝進入 10 奈米階段,三星要在先進製程中複製過去模式恐有難度。


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