〈南亞科股東會〉吳嘉昭:下半年DRAM市況正向 新廠年底動土2023年底前裝機

南亞科董事長吳嘉昭。(圖:南亞科提供)
南亞科董事長吳嘉昭。(圖:南亞科提供)

DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 今 (4) 日召開股東會,董事長吳嘉昭看好,下半年整體 DRAM 產業與市場售價可望持續正向發展,第一代 1A 前導產品與第二顆下世代 DDR5 正試產中,第二代 1B 首顆產品近期也將試產;12 吋新廠將於年底動土,目標 2023 年底前裝機。

吳嘉昭表示,目前南亞科第一代 10 奈米級製程技術 (1A) 試產線已裝機,第二代 10 奈米 (1B) 級製程技術首顆產品,將在近期開始試產。

吳嘉昭表示,將持續優化 20 奈米產品組合,除增加在伺服器及 PC OEM 客戶的認證,也將加速低功率產品推廣,未來目標市場包括攜帶型產品、汽車及工業等應用,可有效提高產品價值與銷售彈性。

對於新廠進度方面,吳嘉昭指出,為滿足市場需求及公司長遠發展,已規劃在南林科技園區中興建新廠,持續導入先進製程及產品並擴產,新廠預計年底動土,目標 2023 年底前開始裝機,產能規模將視市場需求分階段設置。

南亞科股東會也通過現金股利總額為新台幣 40 億元,因轉讓庫藏股及員工執行認股權憑證,調整每股現金股利金額為 1.29660236 元,並訂明 (5) 日除息。


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