外媒:三星電子3奈米製程可能先應用於自家晶片

外媒:三星電子3奈米製程可能先應用於自家晶片(圖片:AFP)
外媒:三星電子3奈米製程可能先應用於自家晶片(圖片:AFP)

據報導,南韓三星電子 (Samsung) 可能將第一代 3 奈米製程技術首先應用在自家的晶片,隨後才會將該技術應用到客戶產品中。

報導指出,三星電子在近期上海晶圓代工論壇中,發布了該公司半導體代工業務的藍圖,其中提到了 2021 年下半年將量產第一代 4 奈米晶片,2022 年將量產第二代 4 奈米晶片,並將在 2023 年量產第二代 3 奈米晶片的計劃。

不過,其中並沒有提到量產第一代 3 奈米晶片的計劃。三星電子先前曾宣布表示,將從 2022 年開始推出 3 奈米製程技術。

有分析人士指出,三星電子之所以沒有透露第一代 3 奈米製程的計劃,很可能是因為該公司計劃先將其應用在自家設計的晶片,然後才會再提供給客戶。

與 5 奈米工藝製程生產的半導體相比,透過 3 奈米工藝製成製造的半導體尺寸縮小 35%,表現性能和電池效率更分別提升了 15% 和 30%。台積電目前也在開發 3 奈米製程技術,目標在明年推出。

三星的 3 奈米製程技術將採用全新 GAA (環繞閘極) 架構,使其能夠對晶片核心的電晶體進行重新設計和改造,改進了靜電特性,使其更小、更快,並降低功耗。

在上個月,美國電子設計自動化 (EDA) 公司新思科技 (Synopsys) 宣布,複雜的多系統晶片系統已成功設計定案 (Tapeout),加速其為三星 3 奈米 GAA 工藝技術的認證。

Tapeout 為新思科技和三星合作完成,雙方聯合驗證了此製程的設計、生產流程,為 3 奈米 GAA 技術的關鍵里程碑,意味著距離量產又近了一步。


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