發行人語>神山還能爬？

文．洪寶山

上週五台積電 ADR 大漲 5.51%，跳空站上季線壓力，收 124.8 美元，在三月十七日除息 2.5 元下跌，貼息的保守氣氛始終圍繞在多頭心頭。後來又遇到英特爾宣布擴大晶圓代工的 IDM 2.0 計畫，以及台積電與宏碁示警重複下單的利空，雖然還不知道汽車晶片插隊會不會影響毛利率，但可以說，從一月二十一日的 679 元高點拉回的中期整理，在三月二十五日跌破季線 (ADR 跌到半年線)，已經觸底了。

市場聚焦再提高現金股利

四月六日台積電終於填息，率領加權指數大漲 168 點再創新高，台積電這次花了十三天才填息。接下來多頭將聚焦四月十五日法說會，重點關注今年會不會提高現金股息。台積電去年每季配發 2.5 元現金股息，一年共配發十元現金，以四月一日收盤價 602 元計，殖利率約 1.66%，大約等於美國十年期公債殖利率，在當前華爾街高度預期十年期美債殖利率將挑戰 2%，台積電的產能利用率持續維持擴產後的滿載，自然預期今年業績進一步成長，進而提高現金股利。

上一季法說會台積電調高今年資本支出將達 250~280 億美元，相當於年增 45~62%，創史上新高，其中 80% 將用於三奈米、五奈米及七奈米等先進製程。當時外資調高目標價到 780 元，多頭信心受到鼓舞，可以說看不到一片烏雲。

近期業界流傳一封台積電總裁魏哲家寫給部分 IC 設計客戶的信，提到台積電過去十二個月增加產能，產能利用率依然超過 100%，無法滿足需求，台積電計畫自 2021 年 12 月 31 日起暫停晶圓降價，為期四季。並預計在接下來三年投入一千億美元 (即每年超過 333 億美元) 增加產能，此時拋出「三年千億美元」的論調無疑是對競爭對手 (英特爾) 大肆投資的直接回應。

今年三月喜迎元老基辛格回歸的英特爾宣布投資二百億美元在亞利桑那州新建兩座晶圓廠，並切入代工業務直接與台積電等競爭；三星電子也已經宣布未來十年在半導體業務上砸下一千億美元。

台積電成為台灣股民最愛

台積電的股東人數已經超越中鋼，為台股第一，但股民的持倉信心甚強，原因無他，就因為先進製程狠甩對手。獨步全球的三奈米原預計今年下半年進行風險性試產，並於 2022 年下半年量產；但近日供應鏈傳出，台積電三奈米製程已提前於三月開始風險性試產，並小量交貨，進度優於原先預期，意即三奈米量產時程可望較原先預計的 2022 年下半年提前。

由於台積電七、五、三奈米沿用鰭式場效電晶體 (FinFET) 技術，但三星在三奈米採用更先進的環繞閘極 (GAA) 技術，所以還沒看到最終產品，還不知道誰家的三奈米產品更勝一籌，局勢雖對台積電樂觀，但還談不上絕對壓倒性的領先，對手仍有彎道超車的機會，關鍵就是誰能領先量產二奈米製程。

依照目前的模式，三奈米以下的製程不太可能再把電晶體等元件蝕刻在矽基材上，因為摩爾定律 (運算能力每兩年增加一倍) 的步調已經放緩，甚至可能很快就到達極限。

先進製程技術已遙遙領先

台積電預計在二奈米製程切入 GAA 技術，正式進入另一個全新的製程技術領域，一旦台積電真在 2023~2024 年間量產 GAA 技術的二奈米製程，則三星想在三奈米製程彎道超車的狀況，將會難上加難。

但是最先進的製程已經逼近物理極限，頂到了天花板，可能難再有發展的餘地，在這樣的情況下，目前全球都在尋找新型半導體材料或者下一代晶片來替代，或者至少把新材料與矽結合，以大幅提升性能。

最先進物理、化學和工程領域的研究人員，正在嘗試使用一些奇特的物質來製造微晶片，包括石墨烯、黑磷、過渡金屬硫化物 (transition metal dichalcogenides)、氮化硼奈米片 (boron nitride nanosheets)。

未來十年台積電仍是龍頭

中國因為受制於買不到 EUV 曝光機，而且 EUV 核心元件不只十萬個，據說美國科學家僅研究其中一個零件就花了十年時間，所以中國在美國的半導體禁令下想實現「去美化」，基本上沒有十年以上是不可能的，因此中國的研究是朝繞開 EUV 曝光機的方向發展。

而就在最近中國科研科學院已經成功研發出光量子晶片，光量子晶片是由光做載體，操控精度更準確，穩定性高，不易受外界干擾，而且存儲的資訊保存時間長，缺點就是光量子本身的溫度接近絕對零度，也就是在零下 273.15 度才能正常工作，另外光的極易消耗性也是問題，距離大量生產還有不少技術限制。在可預見的十年內，台積電仍可維持領先地位。

來源：《理財周刊》1076 期

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