〈記憶體整併潮〉海力士吃下英特爾NAND 集邦:企業級SSD可發揮綜效

SK海力士將以90億美元收購英特爾NAND flash、固態硬碟(SSD)事業。(圖:AFP)
SK海力士將以90億美元收購英特爾NAND flash、固態硬碟(SSD)事業。(圖:AFP)

韓國記憶體大廠 SK 海力士今 (20) 日宣布,將以 90 億美元收購英特爾 (Intel)NAND flash、固態硬碟 (SSD) 事業及其中國大連廠房,市調機構集邦 (Trendforce) 指出,這項合併案開啟 NAND Flash 產業整併序幕,兩家公司在企業級 SSD 領域可望發揮綜效,市占將超越鎧俠躍居第二,僅次龍頭三星。 

集邦表示,SK 海力士除了併購英特爾 NAND flash 及 SSD 事業外,並將依規定向中、美、韓等國政府機關申請許可,收購英特爾位於大連專門製造 3D NAND Flash 的 Fab68 廠房,預計在 2021 年底前完成收購。

根據集邦數據顯示,SK 海力士與英特爾今年第二季的營收市占率為 11.7% 及 11.5%,分別位於第 4 及第 6 名。若再以產品競爭力詳細區分,以去年來看,SK 海力士在 NAND Flash 的強項為手機領域,其中包含 eMCP 及 eMMC 產品,占 SK 海力士 NAND Flash 總營收的 6 成以上。

集邦進一步指出,英特爾長年在企業級 SSD 領域表現優異,不但與三星並駕齊驅,中國市占甚至超過五成,以 NAND Flash 所有終端應用來看,企業級 SSD 為獲利最佳的產品。

以產能面來看,SK 海力士目前的 NAND Flash 投片產能全數位於南韓;英特爾的 NAND Flash 產能則全數位於中國大連。英特爾是所有 NAND Flash 廠商當中最著力推廣採用 QLC 結構者,預計年底前將占其產出逾 3 成。以技術面來看,目前英特爾仍堅持以 Floating Gate 為 3D NAND Flash 的主要生產結構,不同於其他廠商所採用的 Charge Trap 結構,在蝕刻的技術難度上有相當差異。

集邦預期,SK 海力士取得英特爾的 3D NAND Flash 產能後,NAND Flash 市占將達 20% 以上,超越原先排名第二的鎧俠、僅次三星。SK 海力士在企業級 SSD 領域的競爭力可望大幅躍升,但後續應著墨在雙方不同產品架構間取得平衡,以達到最大綜效。

此外,需要特別留意的是,此次收購案僅限於 3D NAND Flash 相關技術與產能,並不包含近期相當受到市場關注的新興記憶體技術 3D-XPoint。


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