加強記憶體國產 中國國家記憶體基地二期動工

加強記憶體國產 中國國家記憶體基地二期動工(圖片:AFP)
加強記憶體國產 中國國家記憶體基地二期動工(圖片:AFP)

周六 (20 日) 長江存儲國家記憶體基地項目二期在武漢東湖高新區正式動工。該計劃由紫光集團、中國國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設,計劃共分兩期,主要生產 3D NAND flash 晶片。

兩期的投資總額達 240 億美元,在規劃上,第一期主要目標放在技術上的突破,產能達 10 萬片 / 月;第二期規劃產能則訂在 20 萬片 / 月,兩期項目月產能共計 30 萬片。

湖北省省長王曉東表示,該項目完工可使湖北成為航空母艦等級的產業創新發展重鎮,必將為湖北「光、晶、屏、端、網」等產業鏈注入強勁動力。

該項目一期已於 2016 年底動工,已陸續量產 32 層、64 層記憶體晶片產品,並在今年初成功研發出全球第一款 128 層 QLC 3D NAND flash 晶片。

之後長江存儲便宣布,其 128 層 QLC 3D NAND flash 已通過多家 SSD 廠驗證,如群聯和聯芸等兩大廠,量產時間將在今年年底到 2021 年上半年間。

根據長江存儲的說法,該款產品除了是業界首款 128 層 QLC 規格 3D NAND,且擁有已知型號產品中最高單位面積儲存密度,最高 I/O 傳輸速度和最高單顆 NAND Flash 晶片容量。

目前長江存儲正在不斷提升產能,今年底的目標將達到 10 萬片晶圓 / 月的產能,這也是整個中國國家記憶體基地一期工程的目標。
 


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