通富微電子海滄封測廠一期 目標今年內試產

陸媒報導，中國第二大，全球第六大封測廠通富微電子於海滄興建的封測廠第一期完成通電作業，這意味者通富微電子的先進封測基地已進入試產的倒數計時階段，有機會在今年內達成試產目標。

目前在建的廈門海滄封測廠是通富微電子第六座工廠。依照 2 年前通富微電子與廈門政府簽訂的戰略合作協議內容來看，該封測廠總投資達人民幣 70 億元，規劃建設以 Bumping、WLCSP、CP、FC、SiP 及三五族化合物為主的先進封測基地，主要業務地區以「福、廈、漳、泉」及華南地區為主。

此外，該項目計劃分三期實施，第一期總投資人民幣 20 億元，規劃建設 2 萬片 Bumping、CP 以及 2 萬片 WLCSP、SiP。

通富微電在透過不斷併購之下，目前已擁有 Bumping、WLCSP、FC、BGA、SiP 等先進封測技術、QFN、QFP、SO 等傳統封測技術，及汽車電子產品、MEMS 等封測技術。全球前十大半導體製造商有一半以上是該公司的客戶。

在國產替代的行動下，通富微電電子第三季營業走出第二季的陰霾。第三季營收人民幣 24.7 億元，年增 23%，較第二季上升 18 個百分點；純益則為人民幣 5031 萬元，較第二季虧損人民幣 2045 萬元有明顯改善，除了國產替代風潮下，AMD 7 奈米訂單 (7 奈米伺服器、7 奈米 GPU) 的貢獻也為其業績挹注不少。