中國紫光DRAM廠預計2021年投產 為台廠後市營運添變數

DRAM晶片。(圖:AFP)
DRAM晶片。(圖:AFP)

中國紫光集團繼 6 月底宣布籌組 DRAM 事業群後,昨 (27) 日更與重慶市政府簽署合作協議,將在重慶投資建置 DRAM 總部研發中心與 DRAM 廠等,其中,DRAM 廠預計今年底開工,並於 2021 年完工投產,屆時恐將影響 DRAM 市場供需,影響價格表現,不利南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW) 等台廠後市營運。

紫光集團今年 6 月底發文公告籌組 DRAM 事業群,由曾任中國工信部電子信息司司長刁石京擔任事業群董事長、高啟全擔任執行長,這也是中國在晉華遭到美國發布禁售令後,再次宣布將自主開發 DRAM 產品。

為加速擺脫對 DRAM 進口的依賴,紫光集團日前重慶市政府簽署「紫光存儲芯片產業基地項目合作協議」,將在重慶投資興建 DRAM 總部研發中心、DRAM 事業群總部、DRAM 晶片廠與紫光科技園等。

據中國媒體報導,紫光重慶 DRAM 廠將生產 12 吋 DRAM 晶片,預計今年底動工,2021 年完工投產。市場預期,待紫光重慶 DRAM 廠完工投產後,恐將影響 DRAM 市場供需,衝擊價格表現,也連帶對台廠營運帶來影響。

在進軍 DRAM 領域之前,紫光集團從 2016 年來,已相繼在武漢、南京與成都建置 3 座 NAND Flash 廠,日前並首次展出武漢長江存儲的 64 層 3D NAND 技術,預計今年底正式量產。


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