台積電法說前夕 三星宣布:正式採EUV「商業量產」7奈米

三星電子(圖:AFP)
三星電子(圖:AFP)

晶圓代工大廠三星電子 (5930-KR) 與台積電 (2330-TW) 的競爭火熱,台積電 7 奈米製程領先同業量產,且訂單吃香。三星則在週四 (18 日) 宣布,正式開始使用 7 奈米 LPP 製程生產晶圓,該製程使用極紫外光刻 (EUV) 技術。

三星電子股價日線走勢圖
三星電子股價日線走勢圖

為了追上台積電的生態系統,三星電子建立先進製程整合服務生態系統 (Samsung Advanced Foundry Ecosystem),以及電子設計自動化基礎設施,同時三星詳細介紹其封裝能力。

此外,三星宣布,該公司正在開始採樣基於 16Gb DRAM 晶片的 256GB RDIMM,並計劃採用嵌入式 Xilinx FPGA 的固態硬碟 (SSD)。

三星可商業化量產 7 奈米為此次新聞之亮點,而與 10 奈米 FinFET 製程相比,7 奈米 LPP 製程可減少 40% 的晶片面積,使效能提升提高 20%,並降低 50% 的功耗。三星表示它現在擁有 50 家合作夥伴,包括 Ansys、Arm、Cadence、Mentor、Synopsys 和 VeriSilicon。

據傳 7 奈米 LPP 製程已吸引多方的興趣,包含網路巨頭與手機晶片大廠高通等。但是,三星預計明年年初之前不會發布客戶名單。

三星晶圓代工行銷總監 Bob Stear 表示,目前的 EUV 光刻機平均日常功率為 280W,從年初的 250W 有所提升,目前功率可支持每日產量達 1500 片晶圓,三星的目標為提升功率至 300 W。

Stear 指出,相較於傳統的氟化氬 (ArF) 浸沒技術,EUV 技術所需完成單層矽晶圓曝光的光罩較少,因此降低生產成本,提升良率。

車用部分,7 奈米製程預計將在今年年底前通過 1 級 AEC-Q100 認證。在封裝方面,三星正在開發一種 RDL 重布層,可在單個重布層上安裝高達 8 個高頻寬記憶體 (HBM)。


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