靠晶片賺翻 三星3年砸70億美元 拓NAND在華產能

三星電子 (005930-KR)28 日宣佈將在未來 3 年投資 70 億美元 (約 2112 億元新台幣) 於中國西安半導體工廠，以提升 NAND 晶片產能。

NAND 晶片是快閃記憶體的一種，它更像硬碟，成本比 NOR 型快閃記憶體低一些，但容量大得多。所以，NAND 晶片主要用於資料存儲，是常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體盤、數碼存儲卡等。而 NOR 型快閃記憶體更多用於手機。

據澎湃新聞援引韓聯社報導，西安半導體生產線於 2014 年建成，目前開工率 100%，擴張產能，佈局中國，有助於在全球最大 NAND 快閃記憶體市場應付日益增長的中長期需求。據悉，新建生產線全部用於製造垂直快閃記憶體 (V-NAND)。

市場研究公司 IHS 的資料顯示，今年第 2 季，三星佔據了全球 NAND 快閃記憶體晶片市場近 4 成 (38.3%) 的營收。由於晶片價格持續上漲，該領域已經成為三星最為重要的利潤來源。

今年第 2 季，三星電子營業利潤同比增長 72.9%，至 127.7 億美元 (約合 14.1 兆韓元)，營收同比增長 19.8% 至 61 兆韓元，淨利潤同比增長 89% 至 99 億美元 (約合 11.05 兆韓元)。其中晶片業務貢獻了 8 兆韓元的利潤，較 2016 年第 2 季的 2.6 兆韓元成長逾 3 倍。

路透社指出，客戶設備和供應鏈對晶片的需求，推高了 DRAM 和 NAND 存儲晶片的價格，擴大了三星的利潤空間。

據金融界報導，三星電子今年 7 月初曾宣布一項在南韓的 186 億美元投資，當時就表示將於西安的 NAND 內存晶片工廠新增一條生產線，但並未設定投資總額。

據了解，西安半導體工廠在一份監管文件中表示，70 億美元中的 23 億美元已經在周一 (28 日) 獲得批准。至於這項獲得批准或經過計劃的投資所能增添的產能總量，三星電子發言人並未做評論。

截至今 (29) 日 10:30，三星股價下跌 1.17%，來到 227.8 萬韓元。