中國在3DNAND存儲器研發領域取得?志性進展

16日從中科院網站獲悉，近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中科院微電子聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得重要進展。

據長江存儲CEO楊士甯在IC咖啡首屆國際智慧科技?業峰會(ICTech Summit 2017)上介紹，32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指?測試，達到預期要求。該款存儲器芯片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發中心聯合開發，在微電子所三維存儲器研發中心主任、長江存儲NAND技術研發部項目資深技術總監霍宗亮的帶領下，成功實現了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向?業化道路邁出具有?志性意義的關鍵一步。

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