力旺矽智財 在台積電10奈米製程完成驗證

矽智財 (IP) 廠力旺 (3529-TW) 宣布，其具安全特性的 NeoFuse 矽智財，已在台積電 10 奈米鰭式電晶體 (FinFET) 製程完成驗證，採用力旺的 IP 相關套件，也已可供應客戶產品導入。

力旺指出，先進製程中，高階晶片對安全性的考量提升，矽智財更須具備不被攻擊之特性，為達此目的，力旺在台積電 10 奈米 FinFET 製程驗證的 NeoFuse 矽智財具備多種安全防護特性，可防止被故障植入 (Fault Injection)、資料竄改 (Data Tampering)、邊信道攻擊 (Side Channel Attack) 等方式攻擊。

另外，讀取電壓範圍允許超過 20% 的變動彈性，也能讓產品設計更靈活，也更能節省功耗。

力旺指出，NeoFuse 矽智財在 16 奈米精簡型 FinFET 製程與 10 奈米 FinFET 製程驗證，預計將分別在 2017 年初與下半年完成，力旺除在台積電的尖端平台廣泛佈建 Logic NVM 解決方案，也致力在超低功耗 (ULP)、CMOS 影像感測元件 (CIS)、嵌入式快閃記憶體 (eFlash)、高壓 (HV)、功率積體電路製程整合技術 (BCD) 等各式特殊製程平台開發 NeoFuse 技術。

至今日為止，力旺的 NeoFuse 技術已在全球 70 個製程平台中被採用，其中 27 個已成功取得驗證。

過去十三年來，力旺電子的矽智財已成功佈建在台積公司多項技術平台中，展望未來，力旺電子將與台積公司保持更加緊密的合作關係，發展更多可應用於台積公司各製程平台之矽智財。