力晶：公告本公司取得美國專利局核發US 9064580專利

第七條　第8款

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性半導體記憶裝置及其寫入方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/07/30

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT＄249,245

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性半導體記憶裝置，包括：一非揮發性的記憶單元陣列；以及一控制電路

，用以控制該記憶單元陣列的寫入。在抹除已寫入記憶單元之資料的抹除處理之前或

之後，上述控制電路檢測寫入至上述記憶單元陣列時的寫入速度，決定每區塊或每字

元線之對應該寫入速度的寫入開始電壓，儲存上述所決定的寫入開始電壓於上述記憶

單元陣列，以及從上述記憶單元陣列讀出寫入開始電壓以寫入預定資料。