F-IET攜手法國Soitec，合拓砷化鎵市場

精實新聞 2013-12-13  記者 羅毓嘉 報導

III-V族半導體磊晶廠F-IET(英特磊：4971)宣佈與法國磊晶廠Soitec簽署合作協議，雙方將就客戶、技術等層面進行多方面的合作。F-IET總經理高永中指出，這項合作不僅可滿足雙方客戶尋求第二供應商的需求，亦讓F-IET有了拓展新客戶的機會，並進一步深化在砷化鎵市場佈局。

F-IET成立於1999年，營運主體設立於美國德州，採用MBE(分子束磊晶)技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產。

F-IET與位於法國Bernin的Soitec簽署合作協議，雙方將就客戶、技術授權、乃至機台轉讓等各層面展開多方面的合作。F-IET總經理高永中表示，這種合作夥伴關係，不僅可以讓雙方的客戶取得可信賴、認證的第二供應商，同時也可讓彼此公司在各自的砷化鎵產品領域保持領先地位，客戶則可受惠於穩定、低價與優質的磊晶片供應。

同時，根據合作協議內容，Soitec將對F-IET進行砷化鎵磊晶的部份技術授權、以及生產機台的轉讓，讓F-IET擁有擴展新市場的機會。

Soitec資深副總裁Bernard Aspar指出，在合作協議生效之後，F-IET將獲得Soitec的授權，成為Soitec主要客戶的第二供應商；F-IET總經理高永中則強調，這項合作協議將加強F-IET的砷化鎵技術和產品知識，同時也提供Soitec客戶穩固的產品供應鏈。

砷化鎵是元素鎵和砷的化合物，屬III-V族半導體，主要應用在微波頻率積體電路、單片微波積體電路、紅外發光二極體、雷射二極體、太陽能電池等製造材料。砷化鎵也常使用於砷化銦鎵(InGaAs)和氮砷化銦鎵(GaInNAs)等III-V族半導體磊晶生長的基板材料。

就F-IET今年Q3產品組合來看，較高毛利率的磷化銦(InP)佔比為44%、政府專案勞務與銻化鎵(GaSb)佔比為25%，毛利率相對較低的砷化鎵磊晶比重則為24.5%，其他產品合計則約為6.5%。

累計今年前11月，F-IET營收為5.21億元，年增0.3%；就已公佈獲利來看，F-IET今年前3季度稅後盈餘為9049萬元，年減15.5%，EPS為3.36元。