陶氏推新一代電鍍液，凸塊封裝穩定性再提昇

精實新聞 2013-12-05  記者 羅毓嘉 報導

隨著覆晶與晶圓凸塊漸成行動裝置時代的晶片封裝主流技術，半導體材料大廠陶氏化學(The Dow Chemical, NYSE: DOW)宣佈推出新一代的錫－銀電鍍液，該新配方不僅提高電鍍液的穩定性，更可提高凸塊電鍍製程的效益，提供更快的電鍍速度與均勻的凸塊介面，大舉提昇晶圓凸塊製造商的競爭力。

陶氏化學旗下先進封裝材料事業群業務總監Robert Kavanagh指出，隨著覆晶封裝(Flip-chip)技術逐漸成為行動通訊時代的主流工藝，同時封裝製程更持續往2.5D、3D晶片封裝演進，製造晶圓凸塊所使用的電鍍材料也必須與時俱進；尤其在以電鍍方式生產凸塊時，產業對高效能、無鉛(lead-free)的材料有著非常明顯的需求。

Robert Kavanagh指出，在先進封裝製程當中，凸塊的尺寸縮微趨勢已越來越明顯，客戶必須要導入新一代配方的封裝材料，才能滿足覆晶晶圓凸塊封裝穩定性與可靠度需求；而陶氏的新電鍍液在效能上取得了顯著的提升，尤其與陶氏的銅柱電鍍液配合使用時，其電鍍速度更快、提供凸塊更佳的均勻性，可確保晶圓凸塊的運作品質。

陶氏說明，若廠商導入新一代的SOLDERON BP TS 6000 錫－銀電鍍液，其電鍍速度可從每分鐘2微米(micron)到9微米，與其他市場上其他解決方案相比效率更佳；同時該電鍍液的應用範圍廣泛，客戶無需改變電鍍液以應對不同的加工要求。

陶氏指出，與客戶協同工作的成果，已經證明新的電鍍液穩定性足以支應大多數邏輯晶圓微凸塊(microbump)、銅柱電鍍(copper pillar)和微銅柱(micro-copper pillar)等凸塊封裝製程的需求；採用該款電鍍液的回焊(rework)製程當中，更可防止大孔洞和微孔洞的產生，進而提高了電鍍焊點的可靠性。

目前陶氏的SOLDERON BP TS 6000 錫－銀電鍍液已經廣泛向客戶提供樣品，而且在多家客戶手中進行製程的beta測試。