旺宏研發受肯定 5篇論文入選VLSI技術會議 台灣業界之冠

全球超大型積體電路技術及電路國際會議(IEEE Symposia on VLSI Technology & Circuits)即將於6月11日至14日於日本舉辦。旺宏電子(2337-TW)今年共有6篇論文獲選，其中一篇入選電路會議(VLSI Circuits)，另外5篇論文入選VLSI技術會議(VLSI Technology)，而再度蟬聯台灣業界之冠；尤其，探討導電橋電阻式記憶體(Conducting Bridge Resistive Memory, CBRAM)的研究成果更獲選為焦點論文(Highlight Paper)。

旺宏表示，今年旺宏在VLSI所發表的論文主題涵蓋3D NAND Flash、電阻式記憶體(ReRAM) 及相變化記憶體(Phase Chang Memory)等最前瞻的研究領域，顯示旺宏對次世代先進記憶體關鍵技術已全方位掌握。至於此次獲選為焦點論文的研究成果，是旺宏工程師發現在CBRAM元件的金屬離子供應層與固態電解液層之間加上一層金屬氧化層(p型氧化銅半導體)，不僅可大幅降低元件的操作電壓，同時也能提高其穩定性，使新一代的CBRAM元件具備低耗能及高可靠度的特性。

VLSI國際會議被視為是展現IC製程整合技術最新成果的櫥窗，與IC產業未來發展最為密切。若以第1作者(first author)論，今年VLSI技術會議中，以旺宏發表5篇最多，次為台積電4篇及交大2篇。

旺宏除了在VLSI持續有傑出表現，近5年來在國際重量級學術研討會議─國際電子元件大會IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)平均每年約有5篇論文發表。去年旺宏續有5篇論文獲選，篇數再度居台灣業界之冠，其中2篇更獲得大會評選為焦點論文，超越國際指標性大廠。