台積2015起資本支出壓力減，里昂升其目標價

精實新聞 2013-05-27記者 王彤勻 報導

20130527_88_0.jpg -->台積電(2330)今年資本支出調高至上看百億美元的歷史新高，與英特爾、三星半導體三雄鼎立的態勢確立，惟另一方面，高檔的資本支出對台積的整體財務是否形成壓力，也成為外界關注的另一焦點。不過，外資里昂(CLSA)則出具最新報告指出，台積資本支出的高峰應會落在2014年，並在2015/2016年間緩步下降，主要是台積轉往FinFET(鰭式場效電晶體)製程後，大部分生產20奈米製程的機台設備都可用於更先進製程的生產，將可緩和台積資本支出的壓力。也因此，里昂對台積前景持續樂觀，並進一步將其目標價從126元升至140元，且維持買進(Buy)評等。

里昂分析，FinFET為一種3D的電晶體堆疊架構，這是為了半導體產業往超越20奈米的更先進製程轉移，以解決其將遭遇的擴展性瓶頸所設計。里昂說明，由於FinFET在堆疊結構上的大幅改變，相對於傳統的電晶體架構，將能提升效能並降低能耗。里昂指出，台積計劃更積極進攻16奈米FinFET製程，並搶在2015年底前量產。

里昂認為，FinFET製程不僅可讓台積能夠往更微縮、更先進的製程走，也可紓解台積的財務壓力。里昂預估，台積資本支出於2014年登頂後，2015年即使積極擴產的腳步不會停歇，但資本支出相較於2014年可望減少10%。

里昂指出，台積預期會等到16奈米製程，才會採FinFET技術生產。而台積很可能採ARM的第一個64位元MCU(V8)，做為FinFET技術試水溫的第一個產品，並將於今年11月進行試產(risk production)。而台積的16奈米FinFET製程，由於和20奈米採用同樣的金屬化製程(metallisation technology)，因此兩者有相當多的類似之處，在製程轉移的時候，也將能進一步減少額外的資本支出。

里昂引述台積的說法，指出台積期待，FinFET製程相較於傳統製程，可望提升20-25%的速度，並降低35%的能耗。而台積也將以南科(Fab 14)的第六期做為首先量產16奈米FinFET的基地。

里昂指出，台積可望持續受惠於先進製程轉移的加速，以及通訊產品需求強勁的支撐，加上資本支出擴張的腳步將於2015年放緩，整體獲利壓力也將能減輕，因此對台積的前景持續樂觀，並進一步將其目標價從126元升至140元，並維持買進(Buy)評等。