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長江存儲在美國控告美光 稱侵犯11項專利
中國記憶體大廠長江儲存在美國加州北區對美光提起訴訟，指控美光 (MU-US) 侵犯 11 項專利，涉及 3D NAND 相關技術，長江存儲請求法院勒令美光停止在美國銷售侵權記憶體產品，並支付專利使用費。據美國科技網站 Tomshardware 報導，長江存儲表示，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）及 232 層（B58R）3D NAND Flash 以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產品（Y2BM 系列），侵犯長江存儲在美國提交的 11 項專利或專利申請。