HBM5E





    2026-07-01
  • 美股雷達

    市場傳出,台積電 (2330-TW) 正規劃在 2029 年前後,由現行矽中介層逐步轉向採用「CoPoS」大尺寸玻璃中介層技術。分析人士指出,隨著 AI 晶片進入更大規模整合(包括多顆 HBM4E 甚至 HBM5E 記憶體堆疊),封裝技術將成為算力競賽關鍵瓶頸。






  • 2026-03-19
  • 歐亞股

    韓媒最新報導指出,三星電子正加速推進下一代高頻寬記憶體布局,在 HBM4 今年正式進入量產的同時,已將目光投向更遠一代產品,打算將 HBM5 基片工藝從 4 奈米提升至 2 奈米,並以 1d DRAM 作為 HBM5E 的核心堆疊記憶體。這一戰略部署顯示三星在 AI 記憶體市場的強勢擴張意圖,對高端 DRAM 供應格局及下游 AI 加速器供應鏈具有深遠影響。