HBM5E

03-19

HBM技術路線圖曝光！三星電子：2026年出貨由HBM4主導 HBM5將採2奈米製程

韓媒最新報導指出，三星電子正加速推進下一代高頻寬記憶體布局，在 HBM4 今年正式進入量產的同時，已將目光投向更遠一代產品，打算將 HBM5 基片工藝從 4 奈米提升至 2 奈米，並以 1d DRAM 作為 HBM5E 的核心堆疊記憶體。這一戰略部署顯示三星在 AI 記憶體市場的強勢擴張意圖，對高端 DRAM 供應格局及下游 AI 加速器供應鏈具有深遠影響。