光刻大戰開打！三星、SK海力士重金爭奪EUV產能 加碼先進DRAM擴產

南韓三星電子與SK海力士正圍繞極紫外(EUV)光刻機展開一場「交付排期爭奪戰」，外媒引述消息人士最新報導指出，兩者各自投入規模介於10兆至20兆韓元，目標是鎖定艾司摩爾(ASML)2027至2028年稀缺產能，為先進DRAM與HBM擴產卡位。

ASML已在第三季財報會議明確示警：即便2027年EUV產能提升30%、2028年再擴產30%，仍無法滿足客戶需求。今年EUV出貨量約65台，較去年44台成長近50%，但供給瓶頸持續發酵；核心設備交付週期已拉長至原水準兩倍，漲價效應預計2027年浮現、後年充分顯現，今年Q3記憶體客戶佔ASML整機銷售比重已达46%。

SK海力士今年3月曾說，採購約11.95兆韓元EUV設備，交付期限訂於2027年底。隨著1c製程(10奈米級第六代DRAM)微縮，EUV應用層數由過去3層增加至5層以上，單線設備需求同步攀升。

集邦諮詢(TrendForce)指出，製程越先進，曝光工時與機台數量越成為產能爬坡的強大束縛。

三星則配合平澤P5產線節奏下單。該廠隸屬五年450兆韓元本土投資方案，單座晶圓廠投資逾60兆韓元，目標2028年投產；一期無塵室預計明上半年完工，光刻設備將陸續進場。三星同時規劃2028年導入High-NA EUV，搶下先進DRAM量產窗口。

設備緊缺正從前道延伸至後道。韓美半導體、安靠(Amkor)等先進封裝廠訂單能見度已排滿兩至三年，熱壓鍵合機(TC Bonder)等HBM關鍵製程設備需求走揚。

業內人士判讀，AI資料中心晶片不只比前段製程，後端多維度堆疊互連價值同步抬升，前後段景氣綁定加深。

分析人士指出，這輪搶單本質是「搶時間」：誰先鎖定機台、完成驗證，誰就能在HBM與下一代DRAM週期拉開身位；反之，資本開支上行、折舊與資金佔用壓力也將同步放大。