AI需求太旺 三星、SK海力士大舉擴充中國NAND產能

南韓兩大記憶體晶片廠三星電子(005930KS) 與 SK海力士(000660KS) 正加大中國 NAND 快閃記憶體產能投資。業界消息指出，兩家公司計畫明年積極推進中國 NAND 生產線設備投資，其中三星將擴充西安廠先進 V9 NAND 產能，SK 海力士則重啟大連二廠擴產，規劃新增每月約 3 萬片晶圓產能。

三星自今年上半年以來，持續對中國西安 X2 生產線進行 V9 NAND 升級投資。V9 NAND 採用 280 層堆疊技術，屬於三星先進 NAND 產品，預計西安廠相關產能每月可達 4 萬至 5 萬片晶圓。

目前三星正敲定進一步投資計畫，以強化西安廠 V9 NAND 產能，重點之一是增加蝕刻製程設備。

蝕刻是 NAND 製造的重要環節，由於 NAND 需要垂直堆疊數百層儲存單元，製程中必須鑽出深度極高的電子通道孔，因此蝕刻技術直接影響先進 NAND 的量產能力。

三星已決定自明年下半年起追加投資，以確保 V9 NAND 穩定量產，相關設備採購訂單預計今年底左右陸續敲定。

業界人士指出，三星規劃今年與明年分階段投資，擴大中國先進 NAND 產能，主要是因應人工智慧（AI）伺服器等應用帶動高階 NAND 需求快速增加。

SK 海力士也同步加碼中國。公司自今年第三季起，持續升級大連二廠 NAND 生產設施，目前討論中的投資規模約為每月 3 萬片晶圓產能。

大連廠原為英特爾(INTC-US) NAND 業務的一部分，SK 海力士在 2020 年下半年收購英特爾 NAND 業務時取得該生產基地，並於 2022 年為大連二廠舉行動土儀式，原本計畫進一步擴大 NAND 產能，但受到市場狀況等因素影響，相關設備投資一度暫停。

隨著 NAND 市場需求變化，SK 海力士如今重新啟動擴產。業界人士透露，公司計畫在明年上半年以前，於大連二廠完成每月 3 萬片晶圓產能的 NAND 生產線投資，蝕刻設備等關鍵製造設備則預計從下個月起正式進場。

三星與 SK 海力士此次同步加碼中國 NAND 生產基地，顯示兩家南韓記憶體大廠正加快先進 NAND 產能布局。三星聚焦西安 V9 NAND 擴產，SK 海力士則推進大連二廠設備投資，兩家公司相關擴產計畫都將延續至明年。