《中國要聞》一韓男涉間諜罪在華被捕,傳涉洩長鑫存儲半導體資訊

　　《經濟通通訊社30日專訊》中國外交部昨證實,一名居於中國的南韓公民被有關部門以涉嫌間諜罪拘捕。有韓媒透露,該名被捕的南韓公民為50多歲譯音姓安的男子,曾在南韓半導體業界擔任離子注入技術員近20年,到2016年被「長鑫存儲技術有限公司」招攬入職,移居安徽合肥,其後亦曾轉到另外2間中國半導體企業工作,至去年12月被合肥國安部門拘捕。

　　報道指,該名男子懷疑涉嫌在長鑫存儲任職期間向南韓洩漏半導體資訊。檢察部門今年5月接手案件,對其正式拘留和起訴。報道引述該名男子當年的同事指,其職級權限並不能獲取公司的核心技術或資訊。報道並提到,案件可能最快本月開審。

　　今年8月曾有外電報道指,長鑫存儲是美國政府最新封鎖目標,美國可能會通過「外國直接產品規則」(FDPR),阻止美國及其他國家的企業向中國出售高帶寬內存(HBM)晶片,還計劃降低先進DRAM晶片適用管制的門檻。長鑫存儲目前有能力生產HBM2,並於2016年首次將其商業化。(sl)