市場對AI預期太高 科技大廠財報利多不漲 先進封裝設備仍具成長性

文．洪寶山

就在川普的保護費利空中，七月的台股由上漲 1384 點變成下跌 160 點，川普認為挑釁核武大國的俄羅斯與中國是不智之舉，因此如果重返白宮後，會敦促歐盟將國防預算提高到 4%，台灣的國防預算要求提高到 5%，用意在於自己的戰爭自己要出力，至於美國會不會協防，留下模糊空間。

筆者了解台灣股民看到「川普的保護費」新聞時，第一時間的直覺應該有種被拋棄的不舒服感，所以上周的台股跌得也不算冤枉，畢竟從 COVID-19 疫情爆發至今，台灣算是美中貿易戰的受惠者，被美國絆了一下，也不算太冤，但台灣也要自立自強，不避戰，也不怕戰，創造和平的契機。

兩岸坐下來談 台灣可以省六千億國防預算

就在颱風天的 7 月 24 日，媒體報導了一則不太起眼的新聞，卻對兩岸關係營造了「可以坐下來談」的氣氛，也算是間接的打臉「川普要台灣提高國防預算」的意圖吧。「賴總統拍板！0214 金門翻船事件，雙方簽『共識』非『協議』，台方對家屬致歉，陸方不要求咎責，開創兩岸談判的『金門模式』」。原來兩岸能夠坐下來好好談，對台灣至少可以省下六千多億元國防預算，可以拿來彌補台電的虧損，以及補貼健保與勞保，傻子才拿去買武器等著生鏽。

長期投資科技七巨頭是個好策略

難怪 7 月 23 日加權指數跌到季線後，量縮反彈 614 點，川普善變的非經濟因素利空暫時告一段落，美國科技巨頭的財報成為市場關注焦點。

從 7 月 18 日的台積電公布第二季財報三率皆優於預期，但法說會後從 1030 元跌到 938 元、-8.9% 跌幅，利多不漲，再到 7 月 23 日的谷歌第二季營收、淨利雙增，股價先漲 2% 後轉跌 - 1%，盤中再漲 3%，最終收跌 - 1.6%，從股價的表現來看，市場似乎不滿意谷歌的財報利多，這都是拜 AI 所賜，也就是說，市場對於 AI 創造獲利的期待甚高，導致市場並不滿足於谷歌營收年增率 13.6%。

YouTube 平台的廣告收入年增率 13%，每股收益年增率 31%，請注意，31% 的利潤率在電話法說會上的反應是平淡的，甚至是被認為成長趨緩的，因為這些 CSP 公司過去一年來的資本支出的激增，華爾街開始用放大鏡關注折舊費用對於每股收益的影響性，這表示接下來的微軟、Meta、亞馬遜等科技大廠的財報，要用更好的成績單來安撫投資人的高期待。其實這也是短期投資科技股最大的盲點，因為市場的預期向來沒有固定標準，這也是為什麼短線上科技股的股價走勢難預測，但長期投資科技股七巨頭卻又是個好策略。

先進封裝到明年仍供不用求

從台積電持續擴產 CoWoS 先進封裝，再到 TrendForce 預測 2024 年 HBM 需求年增率近 200%，2025 年有望再翻倍，得知先進封裝即便到了明年還是供不用求。根據 TechNews 科技新報 6 月 11 日的報導，五月份三星於 IEEE 發表名為《用於 HBM 堆疊的 D2W(晶粒到晶片)銅鍵合技術研究》韓文論文，提到 16 層以上 HBM 須採用混合鍵合 (Hybrid Bonding)，優點是：(1) 晶片堆疊厚度大幅縮減，有利輕薄化設計，(2)銅接點使訊號傳遞更短、更穩定，(3)更高的資料傳遞速度與更低的能號表現。

三星表示這一創新技術將引領記憶體封裝領域的新潮流，計畫 2025 年製造 HBM4 樣品，應為 16 層堆疊，並於 2026 年量產。

當前 HBM 實現多層 DRAM 互聯的主要解決方案為 TC-NCF 與 MR-MUF 兩種。TC-NCF 和 MR-MUF 各有優劣勢，TC+NCF 先使用非導電薄膜填充 DRAM die 微凸點側的微凸點間空隙，之後使用熱壓鍵合技術連接兩層 die，三星和美光主要使用該種方案。

MR- MUF 是 SK 海力士的先進封裝工藝，通過將晶片貼附在電路上，在堆疊時，在晶片和晶片之間使用一種稱為液態環氧樹脂塑封的物質填充並黏貼。相對於 TC-NCF，MR-MUF 是一次性完成凸塊間的電氣連接和晶片間的機械連接，能有效提高導熱率，更有效地控制晶片翹曲度等，並改善工藝速度和良率。

當前，HBM 市場格局三分天下以主流產品 HBM3 來看，SK 海力士於 HBM3 市場比重超過九成，三星與美光緊追在後。由於市場對 HBM 產品需求不斷增加，預計未來將需要 12-16 層甚至更高的多晶片堆疊技術。

後段封測設備 有量價同步增加的投資機會

用 TSV 方法製造的半導體晶片堆疊在晶圓上的雙機台鍵合設備，可用於當前 HBM 用 TC 的兩種主要解決方案 TC-NCF 與 MR-MUF。對於前段設備而言，HBM 需要通過 TSV 進行垂直方向連接，會帶動刻蝕設備、PECVD、PVD、ECD 和減薄拋光等前段設備量成長需求，但相對有限。

對後段設備而言，由於 HBM 堆疊結構增加，要求晶圓厚度不斷降低，對減薄、鍵合等設備需求提升較大，後段封測設備則存在量價同步增加的投資機會。加速建立在地化供應鏈，以減少對外國設備的依賴，HBM 廠商基本已各自建立了相關供應鏈，三星電子從日本東麗、新川和旗下 SEMES 獲得供貨，SK 海力士從新加坡 ASMPT、韓美半導體獲得供貨。

提供半導體設備和工廠自動化一站式服務

對於台灣的相關業者來說，都是圍繞在台積電的需求上，其中又以志聖、均豪、均華的 G2C + 聯盟提供半導體設備和工廠自動化一站式服務，最受資本市場追捧。

志聖提供 CoWoS 製程的電層貼合、晶圓級真空壓模機等設備，著眼於提高良率的永久黏合的最佳解決方案，均華提供相對優勢的晶片挑選機為主，均豪透過持股與昇陽半導體合作，瞄準再生晶圓相關設備，先進封裝設備下半年開始出貨。昇陽半導體的利基在於台積電二奈米的電晶體越來越高，且有磁場干擾，因此導入晶背供電技術，昇陽半提供承載晶圓，此為連工帶料，ASP 是再生晶圓的 2.5 倍，且承載晶圓為一次性消耗不再回收，對昇陽半導體的 2026 年可望營運大幅成長。旺矽已切入混合鍵合前段製程的檢測分析，相關產品研發即將完成。

攜手工研院 產能超越國際大廠

梭特科技以 LED Sorter 起家，研發垂直式式挑揀機，看好混合鍵合未來市場趨勢，與工研院於兩年前共同合作，投入奈米級 Hybrid Bond 技術研發，以混合鍵合技術推出小型 Wafer Level 及 Chip Level 兩種機型，作業精度達 0.2um。改版優化後，速度提升，產能增至每小時 3K 以上，產能超越國際大廠。

梭特已自力開發貼合波 (Bonding wave) 及六面清潔等關鍵技術，並且部署專利，築高行業門檻。梭特目前以預排式巨量轉移固晶設備為主，用在扇出型晶圓級封裝 (FOWLP)及扇出型面板級封裝 (FOPLP) 等高整合度製程，近年精進半導體先進製程設備，在 3D 封裝及 Chiplets 封裝顯現成果。

鈦昇的頂級電漿清洗設備也已有混合鍵合製程客戶接洽研究中。弘塑指出包括 HBM、混合鍵合相關設備，持續在備戰中。

來源：《理財周刊》1248 期

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