格棋掌握SiC晶體成長獨家技術 完成A輪募資15億元

格棋化合物半導體 (GCCS) 今 (24) 日宣佈，公司掌握碳化矽 (SiC) 單晶晶體成長技術、同時具備 6 吋和 8 吋晶體製程能力，近期完成新台幣 15 億元的 A 輪募資，將持續投資先進晶體研發與製程優化技術。

格棋化合物半導體成立於 2022 年，負責人張忠傑、執行長葉國偉分別為格斯科技 *(6940-TW) 的董事長、技術長。

格棋化合物半導體指出，公司擁有自主先進研發團隊，具備獨特長晶工藝與量產能力，位於桃園的 6 吋產線已開始小規模試量產，目前正積極尋找新廠房土地，預計明年將展開大量生產，可協助客戶打造兼具高效能與高可靠性的碳化矽晶片，搶攻未來市場龐大商機。

格棋化合物半導體為專業碳化矽晶體 (Ingot) 與晶圓 (Wafer) 供應商，長期關注第三代化合物半導體的市場發展和工藝技術開發，團隊成員在此領域擁有超過 10 年經驗，特別是晶體生長和熱場設計，出色的專業技術能力深獲業界肯定，成立至今成功吸引投資人的目光。

格棋化合物半導體目前積極與國內知名半導體材料業者聯繫提出合作，未來將善用技術優勢，搶攻第三代半導體龐大商機。

執行長葉國偉強調，碳化矽化合物半導體的高效、高頻與耐高溫特色，特別適用於電動車與混合動力車的車載系統中，在技術成熟與成本降低兩大優勢下，商機快速放大，目前已出現供貨短缺現象。

研究機構 TrendForce 預估 2023 年碳化矽功率元件整體市場規模量將達 22.8 億美元，年成長率超過 40%。

葉國偉表示，為滿足市場需求，全球半導體供應鏈各指標性大廠紛紛開始積極行動，幾家關鍵性廠商已全力提供高品質碳化矽晶圓。國際性大廠也提出相關的發展藍圖，陸續開發出多款相關產品。

製程領域，格棋化合物半導體團隊深耕晶體成長工藝技術，目前已具備 6 吋 N-type 晶體的量產製程能力，並已在 2023 年 5 月成功開發出 8 吋 N-type 晶體以及 6 吋半絕緣晶體。

團隊專攻以物理氣相傳輸法 (PVT) 長晶技術所製造出的碳化矽單晶產品，其品質更高、缺陷密度更低，運作也更穩定。近期 6 吋 N-type 晶體產線已達良率，開始進入小規模試量產階段。

除了長晶技術之外，公司同時還具備有切磨拋光技術的開發能力，對於製程進行晶圓切片工作及提供客戶對接時更完整的產品與技術服務。