聯電推40奈米RFSOI平台加速5G毫米波應用 預計明年量產

晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 今(3)日宣布推出 40 奈米 RFSOI 製程平台可供量產毫米波 (mmWave) 的射頻 (RF) 前端製程產品，加速協助推升 5G 無線網路普及，目前已有幾家客戶洽談中，為其射頻前端產品制訂客製化 40 奈米 RFSOI 製程，預計 2024 年開始量產。

聯電的 40 奈米 RFSOI 製程平台針對射頻開關、低噪音放大器和功率放大器進行優化，能處理更寬的毫米波頻段，並能保持精巧尺寸，同時達到在毫米波模組中含括更多射頻元件的需求，以提供客戶將波束形成器、核心和被動元件以及前端元件整合在單一射頻晶片的解決方案。 

現今大多數 5G 網路傳輸頻段都在 8GHz 以下，但毫米波技術則使用介於 24GHz 至 60GHz 間頻段，藉此提供超高的傳輸速度、極低的延遲以及更穩定的連接。

聯電技術開發部執行處長馬瑞吉 (Raj Verma) 表示，5G 的發展取決於毫米波的布建，以提供虛擬和擴增實境(VR/AR)、智慧城市、工業自動化和健康醫療應用所需速度與能力。

馬瑞吉 (Raj Verma) 指出，隨著推出 40 奈米 RFSOI 平台推出，聯電將擴展射頻技術組合，協助客戶將其先進的 5G 裝置推向市場，並在持續成長的毫米波市場掌握商機。

聯電提供的射頻前端模組解決方案，涵蓋行動通訊、Wi-Fi、車用、物聯網和衛星通訊等市場應用，RFSOI 系列解決方案以 8 吋和 12 吋晶圓生產。自 2014 年以來，已有超過 400 個產品完成設計定案，350 億顆 RFSOI 製程 IC 投入各種應用；55 奈米 RFSOI 製程也已投產多年，服務 5G sub-8GHz 市場。