〈華邦電展望〉20奈米DRAM良率進展優預期 可望提前半年量產

記憶體廠華邦電 (2344-TW)DRAM 新製程傳捷報，20 奈米良率遠優於預期，產能拉升速度也大幅超前預期半年，最快 7 月可望進入量產，華邦電為因應 20 奈米量產腳步接近，也將提高原規劃產能規模，高雄新廠年底前將從 1.4 萬片擴增至 1.5 萬片。

華邦電高雄路竹新廠去年底加入生產，目前以 25S 奈米製程投片，月產能約 1 萬片，預計下半年就會推進至 20 奈米；相較前一代 25S 製程，20 奈米可增加 40% 晶粒產出，可有效降低成本，也將導入生產 DDR4 產品。

華邦電原先預計，20 奈米今年底才可望量產，不過，在大數據應用協助下，大幅推進新製程開發進度，目前 20 奈米良率已遠優於原先預期，客戶小量導入中，將提前近半年進入量產。

為因應 20 奈米量產腳步，華邦電也正催促供應商交貨設備機台，將裝機時間由年底提前至第三季，並將年底產能目標由 1.4 萬片拉升至 1.5 萬片，屆時大部分產能將轉至 20 奈米製程。

華邦電去年資本支出 408 億元，今年預估 121 億元，大部分用於高雄廠建廠及提升製程品質、新製程研發等支出。除 20 奈米 DRAM 進度超前外，45 奈米 NOR Flash 開發進度也相當順利，年中將試產、下半年量產，明年營收貢獻可望大幅成長。