聯電攜美商推22奈米STT-MRAM 搶攻航太商機

晶圓代工廠聯電 (2303-TW)(UMC-US) 今 (13) 日宣布，攜手美商 Avalanche Technology，推出採 22 奈米製程生產的自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRAM)，將應用於航太等領域。

聯電前瞻發展辦公室暨研究發展副總經理洪圭鈞表示，與 Avalanche Technology 合作將此獨立的記憶體解決方案投入生產，將有助 MRAM 解決方案商業化，透過此次與其合作，將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。 

Avalanche Technology 表示，2006 年起即持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面 (pMTJ) 結構的 STT-MRAM 技術，以 pMTJ 和 CMOS 設計為基礎，透過合作夥伴聯電，讓最先進的高密度和高性能 STT-MRAM 產品得以問世。 

聯電指出，該第三代產品平台建構於 Avalanche Technology 最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRAM) 技術及聯電的 22 奈米製程，相較於現有的非揮發性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。