聯電攜美商推22奈米STT-MRAM 搶攻航太商機

聯電攜手美商Avalanche Technology,推出22奈米自旋磁性記憶體。(鉅亨網資料照)
聯電攜手美商Avalanche Technology,推出22奈米自旋磁性記憶體。(鉅亨網資料照)

晶圓代工廠聯電 (2303-TW)(UMC-US) 今 (13) 日宣布,攜手美商 Avalanche Technology,推出採 22 奈米製程生產的自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRAM),將應用於航太等領域。

聯電前瞻發展辦公室暨研究發展副總經理洪圭鈞表示,與 Avalanche Technology 合作將此獨立的記憶體解決方案投入生產,將有助 MRAM 解決方案商業化,透過此次與其合作,將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。 

Avalanche Technology 表示,2006 年起即持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面 (pMTJ) 結構的 STT-MRAM 技術,以 pMTJ 和 CMOS 設計為基礎,透過合作夥伴聯電,讓最先進的高密度和高性能 STT-MRAM 產品得以問世。 

聯電指出,該第三代產品平台建構於 Avalanche Technology 最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRAM) 技術及聯電的 22 奈米製程,相較於現有的非揮發性解決方案,更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。 


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