〈華邦電股東會〉市場有新產能也非DDR3 看明年需求很樂觀

華邦電總經理陳沛銘。(鉅亨網資料照)
華邦電總經理陳沛銘。(鉅亨網資料照)

記憶體廠華邦電 (2344-TW) 今 (12) 日召開股東會,總經理陳沛銘指出,目前利基型 DRAM 需求還是很強,即使明年有新產能開出,也不是 DDR3,看明年需求很樂觀;董事長焦佑鈞則說,高雄新廠投產後,未來每年產出將增加 15-20%。

陳沛銘表示,很多客戶都很期待高雄新廠,目前 DRAM 主要供應 DDR3 1Gb 以下,新廠投產後,可望朝更高容量的 2Gb、4Gb 供應,2Gb 市場供給還是很緊,甚至有些價格與 4Gb 相同。

陳沛銘強調,整體需求還是很強,雖然外界投資報告有不同聲音傳出,但即使明年 DRAM 市場有新產能開出,也是在 DDR4 或 DDR5,需求面的轉換不會突然發生,對 DDR3 的需求應該都還在,「目前看明年很樂觀」。

焦佑鈞表示,在沒有高雄新廠前,每年靠生產力提升,可增加 5-10% 的產出,有了高雄廠,未來每年產出將以 15-20% 的幅度成長,會是較好的狀態,能滿足客戶需求,資本支出也會以這樣的速度逐步向前推進。

對於資本支出金額,焦佑鈞認為,新廠投資初期感受非常大,今、明年會進入資本支出高峰期,這是新廠初期建設必然的,預期 2023 年就會回到穩定向前狀態。

華邦電高雄新廠土地面積是台中廠 2 倍大,台中廠現有產能為 5.7 萬片,高雄預計建置 2 座廠,第一階段產能為 3.15 萬片,初期會先裝機 1 萬片,預計明年第四季投產,導入 25 奈米微縮 (25S) 製程,相當於同業的 20 奈米。


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