〈世界法說〉GaN製程技術最快今年底前小量量產

GaN 在 5G 高頻功率元件中扮演重要角色。(圖:AFP)
GaN 在 5G 高頻功率元件中扮演重要角色。(圖:AFP)

晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 今 (4) 日召開法說,公司表示,氮化鎵 (GaN) 製程研發上季取得不錯的突破,預期快則今年底、慢則明年上半年就能小量量產。

世界先進在 GaN 材料上投資超過 4 年時間,與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作,開發可做到 8 英寸的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST。

世界先進指出,目前在 QST 基板上取得獨家供應,開發成果中,可看到其可靠性 (Reliability) 優勢,將來在電源應用上,有較高的期待。

世界先進透露, GaN-on-QST 技術在上季取得不錯的突破,客戶驗證也有不錯成果,有幾個客戶著手進行產品設計中,對進度樂觀看待,預期最快今年底、慢則明年上半年,就可小量量產。

GaN 屬於新材料,效能、可靠度等均需要長時間驗證,在 5G 高頻功率元件中,扮演重要角色,被看好未來將大量應用於車聯網、電動車、5G 基地台供電模組等領域,世界先進也因此積極佈局 GaN 材料,著眼 8 吋 GaN 製程研發。


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