〈英特磊股東會〉瞄準5G、國防商機 全年成長目標不變

英特磊董事長暨總經理高永中。(鉅亨網資料照)
英特磊董事長暨總經理高永中。(鉅亨網資料照)

英特磊 IET-KY(4971-TW) 今 (22) 日召開股東會,展望未來,董事長暨總經理高永中表示,今年持續發展磷化銦 (InP)、氮化鎵 (GaN)、25G 等產品,瞄準 5G 商機,另外,應用於國防業務的銻化鎵 (GaSb) 磊晶,也可望在下半年開始發酵,全年仍維持營收年增 5-15% 目標。

高永中表示,新廠陸續完成 6-8 台 MBE 機台安裝,氮化鎵機台組裝也預計近期完成,並在下半年投入氮化鎵、碳化矽生產,另外,因應商用與國防應用,將擴大銻化鎵磊晶產能,並配合客戶研發超高頻磷化銦 HBT、開發組裝自製 MBE 機台。

展望未來,高永中指出,未來十年電子產品應用重心將在 5G、光電產品,隨著面射型雷射 (VCSEL) 逐步擴大應用在光通訊、3D 感測,磷化銦將用在 5G 手機 PA、氮化鎵則用在功率 IC 基地台及消費性電子、銻化鎵則鎖定國防工業,其中,國防訂單,已陸續小量試產,估第 3 季可望順利簽約,預期將有助提升營收獲利。

英特磊去年產品營收比重,砷化鎵約占 52%、磷化銦占 36%、銻化鎵占 12%,今股東會也通過去年盈餘分配,每股將配發 1 元現金股利。


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