〈觀察〉無畏疫情影響 記憶體廠今年新製程進度如期進行

記憶體廠未因疫情影響,而中斷長期營運策略。(圖:AFP)
記憶體廠未因疫情影響,而中斷長期營運策略。(圖:AFP)

歷經一年多的景氣循環,記憶體大廠庫存去化有成,加上供給端新增產能有限,受惠 5G 時代來臨,市場原預期今年供需將趨於平衡,甚至可望供不應求,但產業還未迎來好年,年初就先爆發肺炎疫情;即便如此,記憶體廠未因疫情影響,而中斷長期營運策略,今年新製程技術轉進仍照計畫進行中。

華邦電 (2344-TW) 2018 年第 4 季起,開始量產自主研發的 25 奈米 DRAM 製程技術,不過,其量產時間點剛好碰上 DRAM 市況反轉,對新製程轉進來說,較為辛苦,去年第 4 季時營收占比僅約 6%,且受到 DRAM 價格下滑衝擊,加上 25 奈米開發成本高兩大因素影響,第 4 季單季營運因此轉虧。

華邦電認為,今年新製程開發與良率表現,將漸入佳境,新製程轉進效益本季已顯現,第 3 季起會更好。且雖然今年以來爆發肺炎疫情,新製程轉進也在逐步步入軌道階段,但華邦電營運計畫並未受疫情影響而改變。

華邦電去年宣布將高雄 12 吋新廠裝機時程延至 2022 年,目前時間點不變,屆時 20 奈米新製程技術,將在高雄廠投片。除 DRAM 外,45 奈米 NOR Flash 製程技術明年也將正式量產。

南亞科 (2408-TW) 目前主力為授權自美光的 20 奈米製程技術,今年初並宣佈成功開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術,再度走回自主研發之路,第一代 10 奈米級前導產品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5,涵蓋消費型、低功率與標準型產品,預計今年下半年陸續進入試產。

為建置 10 奈米級製程試產線,南亞科董事會今年 5 月初也通過,將再新增新台幣 65.6 億元資本支出預算,今年度資本支出預算也因此提升至不超過 157.6 億元,較去年擴增 1.86 倍。第二代 10 奈米級製程技術已進入研發階段,預計 2022 年前試產,也會開發第三代 10 奈米級製程技術。

旺宏 (2337-TW) 去年成功量產 19 奈米 SLC NAND Flash,今年下半年出貨可望放量,客戶涵蓋各類應用,包括工控、醫療、安控與車載等;今年下半年也將推出 3D NAND 產品,48 層 3D NAND 預計第 3 季送樣客戶,第 4 季量產,明年才可望放量,並預計 2021 年量產 96 層 3D NAND、2022 年量產 192 層 3D NAND。
 


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