長鑫存儲DRAM自主製造項目投產 產能估達12萬片晶圓

2019 世界製造業大會今 (20) 日於安徽合肥正式開幕，中國記憶體晶片廠長鑫存儲宣布，10 奈米 DDR4 DRAM 自主生產項目正式量產，一期產能估達 12 萬片晶圓。

長鑫存儲執行長朱一明表示，10 奈米 DDR4 DRAM 已通過國內外許多大客戶驗證，今年底將正式交付，同時預告另一款提供行動裝置使用的低功耗產品也即將量產。

朱一明在 5 月的 GSA Memory + 論壇首次揭露，該公司 DRAM 技術授權，來自已破產的德國記憶體大廠奇夢達 (Qimonda)。目前已累積 1000 多件 DRAM 相關技術，是推動國內自主研發 DRAM 技術水平的重要關鍵。

長鑫存儲過去專門生產行動 DRAM，如今自行設計的 DRAM 已能投入筆電、電動車、以及數據伺服器等多種應用。

2018 年中國晶片進口額超過 3000 億美元，光 DRAM 就佔其中 2 成。清華大學微電子研究所所長魏少軍表示，中國作為 DRAM 最大應用市場，卻始終沒有掌握自主產能，長鑫推出的 10 奈米 DDR4 DRAM 為中國實現晶片量產技術突破，目標朝向設計與生產一體化。

研究機構 Trendforce 此前預計，2019 年第 3 季，DRAM 價格將暴跌 15%，最後三個月更將下跌 10%，晶片市場可能達到需求預期。