紫光建DRAM廠 研調:製程技術是首要挑戰

DRAM示意圖。(圖:AFP)
DRAM示意圖。(圖:AFP)

中國紫光集團日前宣布,將在重慶投資建置 DRAM 總部研發中心與 DRAM 廠,DRAM 廠預計 2021 年投產。對此,研調機構集邦科技旗下記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 表示,紫光此舉顯示在福建晉華遭美國禁售後,及受美中貿易摩擦影響,中國加速自主開發 DRAM 產品的進程,而製程技術開發將是紫光首要挑戰。

紫光集團已於 6 月 30 日公告成立 DRAM 事業群,由曾任工信部電子信息司司長的刁石京出任董事長,執行長則由高啟全擔任,代表紫光集團與中國政府的合作進一步深化,也更確立中國自主開發半導體的發展方向。

根據 TrendForce 推估,紫光 DRAM 事業群首先要面對的挑戰,將是相關製程技術的開發。當時的福建晉華,在美國禁售令前,已與聯電 (2303-TW) 在技術上密切合作,使製程與產品可按照原訂計畫進行;合肥長鑫也與奇夢達有技術交互授權,有助產品開發。

紫光集團方面,旗下 IC 設計公司紫光國微具有 DRAM 相關產品研發實力,但製程開發至今仍未有合作對象,未來若以自主開發方向進行,至少需 3-5 年研發時間,代表就算 2021 年工廠完工、甚至進入小批量投片,但要達到一定的經濟規模,仍需更長的時間。

紫光集團目前較為欠缺的製程研發能力,可望藉由執行長高啟全的業界人脈進行補強,而高啟全在紫光的 5 年任期將在明年屆滿,是否會對紫光 DRAM 發展產生影響,也須持續關注。

紫光集團並非首次計畫進軍 DRAM 產業,TrendForce 指出,紫光集團 2014 年就曾表達出研發 DRAM 決心,但為平衡產業與地方發展,且已確立 NAND 發展路線,後續 DRAM 開發計畫因而停擺。此次紫光集團回歸 DRAM 開發,主要是因福建晉華去年 11 月遭美國頒布禁售令後,量產與未來研發之路不確定性因素仍高,加上合肥長鑫雖然預計今年底導入量產,但最快也要 2020 年底才可望放量。

TrendForce 認為,對中國而言,僅有一家正在進行的 DRAM 廠,不足以實現自主開發的目標,尤其又面臨中美貿易摩擦的大環境因素,也因此讓紫光集團重新出線,進行 DRAM 開發與生產。


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