〈旺宏法說〉19奈米SLC NAND本季可望出貨 挹注營運動能

旺宏董事長吳敏求。(鉅亨網資料照)
旺宏董事長吳敏求。(鉅亨網資料照)

記憶體大廠旺宏 (2337-TW) 今 (25) 日舉行線上法說,總經理盧志遠表示,19 奈米 SLC NAND Flash 目前已送樣至客戶端認證,進展順利,本季可望開始量產,並逐步貢獻營收;目前也專注於 192 層 3D NAND Flash 研發,預計 2021 年量產。

製程技術方面,旺宏計畫將 NAND Flash 的 12 吋製程技術,由 36 奈米全面提升至 19 奈米,19 奈米 SLC NAND Flash 目前已至客戶端送樣認證,進展順利,預計第 3 季起量產,並貢獻營收。

NOR Flash 製程技術部分,也將從 75 奈米推進至 55 奈米,並持續以高密度、高品質為目標前進,同時積極耕耘車用市場,未來預期在車用領域將持續成長,市佔率有望突破 5 成。

盧志遠指出,旺宏作為半導體產業的領銜者,技術創新腳步不能停歇,今年資本支出約 140 億元,便是用於技術升級及 192 層 3D NAND Flash 研發,3D NAND 預計於 2021 年,以 TLC 規格進入市場,有助提升公司競爭力。

由於近來記憶體大廠相繼縮減資本支出,之所以在此時持續投資腳步,盧志遠強調,資本支出對於半導體產業是必要的,雖然折舊會增加,但眼光應放遠,著眼於先進技術能為公司帶來多少產值,而非當下少量的損失,否則在適者生存的環境下,難逃面臨淘汰的命運。

此外,盧志遠也說,目前旺宏產能調配上,可根據客戶需求及價格因素,彈性調整 ROM 與 Flash 產能比重。


相關個股

延伸閱讀

留言載入中...P