半導體巨霸三星狠砸180億美元 大拓3D NAND產能

三星 (005930-KR) 預期 2021 年前投資南韓 20.4 兆韓元 (約 180 億美元)，分別加碼平澤廠 14.4 兆韓元，投資華城記憶體 6 兆韓元 。並將投資峨山面板廠 1 兆韓元。

為了搶下更多訂單，三星預計 2021 年前平澤廠再增設 2 條產線擴大產能，同時並著手研發第 5 代 3D NAND，累計投資平澤廠共達 30 兆韓元。

三星位於首爾南方的平澤廠，號稱是全球最大的半導體廠，所生產的最新型 3D V-NAND，不但已經投產，而且還開始出貨，將可為更多的數據中心、大數據、AI 及汽車等全球客戶提供服務。

三星先前投資 70 億美元的中國西安廠，已在 2014 年建造完成，目前也是生產 3D NAND，目前也正考慮擴大產能；此外，在美國德州還有一條半導體生產線。  

三星平澤廠投產 64 層 3D NAND 後，正好趕上多家手機大廠秋季的新機上市，尤其來是自家手機 Galaxy Note 8 的訂單，可藉此拉大和同業的差距，並搶下更多的市占。

不過，周三傳出，海力士第 4 代 72 層的 3D NAND 只花了 3 個月就已進入量產，比三星的 10 個月還快，據說已達到黃金良率，並採用自家的控制器和韌體，拉近和三星的距離。