高通直上4G TDD LTE產品年底測試 明年中有產品問世

晶片廠高通(QCOM-US)宣佈LTE晶片已在2010上海世博正式展出，預計年底將與全球多家通信業者合作，並針對展出的晶片進行行動測試，明(2011)年中首款採用高通TDD LTE晶片產品就會推出。

高通指出，將在2011年推出TDD LTE產品，該技術可協助電信營運商有效運用非對稱頻譜資產，提供使用者優異的體驗；TDD　LTE的展示與營運商測試將在今年底進行，對於TDD  LTE是重要里程碑。

高通佈局LTE包含支援TDD LTE、整合基頻與射頻的產品，如MDM9200解決方案，該解決方案是業界首款多模3G/LTE單晶片(3G/4g)，同時支援分頻雙工(FDD)與分時雙工(TDD) LTE，高通預期，首款採用高通晶片的TDD LTE產品將在明(2011)年中正式推出。

此外，高通在印度的德里、孟買、哈雅納以及喀拉拉邦區域，皆已獲得2.3GHz頻段共計20MHz頻寬的TDD頻譜，高通預計，將在印度加速部署同時支援3G HSPA及EVDO的LTE網路，預計今年底就會進行實測。