爾必達在瑞晶設立研發中心 開發40奈米以下製程技術

(由左至右)爾必達技術長五味秀樹、瑞晶總經理陳坤正和力晶副總譚仲民共同出席。(鉅亨網記者葉小慧攝)

爾必達(Elpida；6665-JP)與瑞晶今(5)日共同宣布，今年第 1季將在瑞晶設立技術研發中心，與力晶(5346-TW)共同合作開發40奈米以下製程技術。瑞晶總經理陳正坤表示，初步規劃 2年時間內，投入5000萬至8000萬美元。

瑞晶下午記者會，由瑞晶總經理陳正坤及爾必達技術長(CTO)五味秀樹，以及力晶(5346-TW)副總經理暨發言人譚仲民共同主持，力晶董事長黃崇仁並未出席；力晶表示，董事長黃崇仁本就不預定出席。市場猜測「主權宣示」動作變成烏龍事件。

陳正坤表示，瑞晶正式成立運轉已超過 2年半，瑞晶與兩家母公司爾必達和力晶，看好今年DRAM市況，決定加碼技術投資；爾必達決定在瑞晶設立技術研發中心，整合爾必達、瑞晶和力晶三方技術人力資源，共同開發下世代40奈米以下製程技術。

陳正坤指出，技術研發重點將是利用現有設備，減少資本投資，以達到製程技術推進，進而降低生產成本。他並透露，爾必達已將DRAM新世代製程的開發，由廣島廠轉移到瑞晶，以40奈米4F2製程技術為目標，初步規劃在 2年時間內，投入5000萬至8000萬美元。

除了新世代製程技術的開發，瑞晶在爾必達技術支援下，瑞晶決定製程技術世代將跳過50奈米，直接切入40奈米，預計在今年底導入爾必達40nm 6F2製程技術，瑞晶全部 8萬片12吋晶圓月產能，將於年底前全面生產2Gb DDR3產品。

五味秀樹表示，爾必達廣島廠已於2009年底完成40nm 6F2製程試產，良率相當優異，預計13萬片12吋晶圓月產能將於今年先導入一半，並視情況陸續轉換製程。由於40nm 6F2製程技術縮小了晶片尺寸，相較瑞晶目前生產65nm 1Gb DDR3，可有效降低高達50%顆粒成本。

針對轉換製程至40nm 6F2所需支出，陳正坤表示，僅需轉換50奈米的1/3，約新台幣120億元，保守規劃至少一半資金自籌，另外一半可能向銀行貸款，額度約30-50億元。不過，陳正坤透露，如果今年DRAM價格維持年初水準，瑞晶自有營運產生資金可能就足夠因應。

譚仲民則指出，力晶和爾必達原來共同開發和技轉合約持續存在。陳正坤表示，瑞晶將結合爾必達45nm 4F2和爾必達授權給力晶的65nm 4F2技術，進一步開發下世代40nm 4F2製程技術，相當於一般的30奈米技術，每片約可生產1200顆 2Gb DDR3，非常具有市場競爭力。