聯電攜手新加坡IME開發TSV技術CMOS應用

聯電(2303-TW)(UMC-US)與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research)旗下微電子研究院(Institute of Microelectronics, IME)今(5)日共同宣佈，雙方已協議合作進行應用於背面照度式CMOS影像感測器之TSV技術開發。

此項合作專案將利用IME在12吋TSV生產線晶圓薄化、接合、重佈與凸塊的尖端實力，開發與CMOS影像感測器元件相結合的TSV製程。舉凡智慧手機，數位相機與個人平板電腦等行動電子產品，所採用之數百萬像素影像感測器，都將可藉由此項技術大幅提升產品效能，降低成本並且減少體積。

市場上對於持續縮小像素，同時又能兼顧效能的需求日益攀升，因而帶動了CMOS影像感測技術的興起，而背面照度式技術則普遍被視為可讓微縮至微米級大小的像素，仍保有優異效能的技術解決方案。此次專案目標在於提高像素更微縮的影像感測器之靈敏度，以便支援更高效能的應用產品，包括新世代高解析度的數位單眼像機與數位錄影機。

聯電資深副總顏博文表示，十分高興拓展與IME在背面照度式技術上應用TSV技術的合作關係。IME在TSV整合上的專精實力，可與該公司在標準28奈米CMOS製程via-middle與via-last TSV 技術之研發成果相輔相成，並將大力協助聯電擴充CMOS影像感測器的市場，同時鞏固技術領導者地位。此次合作也展現聯電擴展於新加坡活動觸角的信心。