英特爾稱已掌握10納米晶片製造工藝

新浪科技訊 北京時間9月14日下午消息，英特爾研究人員表示，他們已經破解了10納米晶片製造技術難題，為生能耗更低的先進晶片奠定了基礎。

英特爾Ivy Bridge和Haswell兩種晶片都將採用22納米製造工藝生，在此之後，英特爾將轉向14納米製造工藝，並預計將在2013年晚些時候或2014年初開始用這種技術製造晶片。周三，在英特爾開發者論壇上，該公司高管透露他們還掌握了製造10納米晶片的技術。

英特爾技術製造部門工藝架構與整合主管馬克·波爾(Mark Bohr)說：“14納米晶片技術現已處於全面的開發模式，正在為明年底啟動全面生做准備。眼下，我將自己的個人時間都用在了10納米技術上面，看上去我們已經找到了解決辦法。”

波爾稱，10納米晶片技術可能依賴於一系列實驗性技術，可能涉及光子學、材料合成、最新三柵級晶體管、極紫外光微影(EUV)等方面的技術。在有關如何生10納米晶片的問題上，英特爾可能會採用沉浸式光刻(immersion lithography)技術，盡管它更希望使用EUV技術。

波爾暗示，使用EUV技術生10納米晶片存在諸多困難：“我希望採用EUV技術生10納米晶片，但我認為它屆時還不成熟。”此外，EUV技術的製造成本也高於沉浸式光刻技術。英特爾研究團隊還在積極探索生7納米和5納米晶片的技術，但這一目標距離現在過於遙遠，因為10納米晶片技術要到2015年才能達到生標準。

波爾最後表示，與AMD、ARM等競爭對手不同的是，英特爾旗下擁有和運營晶片生工廠。他說：“工藝流程開發的確需要巨額投資，但也會帶來巨大的經濟優勢。”(清辰)