力晶：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發CN 595042專利

第二條　第51款

1.事實發生日:100/03/23

2.公司名稱:力晶科技股份有限公司

3.與公司關係[請輸入本公司或聯屬公司]:本公司

4.相互持股比例:不適用

5.發生緣由:取得專利

6.因應措施:不適用

7.其他應敘明事項:

(1)專利商標及著作權之內容：相變化記憶裝置及其製造方法

(2)專利商標及著作權之取得日期：100/03/23

(3)取得專利商標及著作權之成本：NT＄25,925

(4)其他應敘明事項：

一種降低加熱電極與相變化材料層間接觸面積之方法，

包括下列步驟：提供一第一介電層，其內埋設有一加熱電極，

該加熱電極具有高出該第一介電層表面之一露出部，該加熱電

極具有一第一直徑；施行一氧化程序，以於該加熱電極所露出

之該露出部之頂面與側壁上形成一氧化物層，並縮減該露出部

之一尺寸至一第二直徑，該第二直徑少於該第一直徑；移除部

分之該氧化物層，以露出該加熱電極之該露出部之一頂面並於

該突出部之一側壁上留下一氧化物間隔物；以及形成一相變化

材料層於該加熱電極之該露出部上，該相變化材料層至少接觸

該露出部與該氧化物間隔物之頂面。